Background In our power semiconductor business, we arefocusing on IGBTs and Power MOSFETs for the rapidly growing xEV market and areincreasing our production capacity to meet the strong demand. In addition tothese, we are planning to
Job Description - Lead the development of new SiC and IGBT products from concept to production, ensuring on time release and meeting technical specification. - Oversee the execution of product development plans, monitoring project progress, resource allocation,
［Background of Recruitment］ With the recent acceleration of electrificationof automobiles, the demand for next-generation power devices is increasing. Our company has been highly trusted and evaluated bycustomers in the automotive and industrial fields, and we are
Job Description - Lead the development of new SiC and IGBT products from concept to production, ensuring on time release and meeting technical specification. - Oversee the execution of product development plans, monitoring project progress, resource allocation,
Job Description - Lead the development of new SiC and IGBT products from concept to production, ensuring on time release and meeting technical specification. - Oversee the execution of product development plans, monitoring project progress, resource allocation,
求人内容 当社では、SiやSiCのパワーMOS、IGBTなどのパワーデバイス事業拡大を計画しています。これらの次世代プロセス開発や生産能力増強（大口径化や生産委託）などのプロジェクトを推進するリーダー候補となる人材を募集します。 他社様と比較して、マイコン、SoC、アナログ半導体、パワー半導体など幅広い製品ラインナップを揃えており、マイコンは世界トップクラスのシェアです。パワー半導体においても世界トップクラスの性能を有するパワーMOSやIGBTを開発・製品化しています。それらを支えるデバイス・プロセス技術を、多岐にわたるエンジニア集団が構造、工程設計のアイデアを創出して総合力で実現しています。人材育成を重視し、非常にやりがいのあるソリューション提案型の開発業務です。 ▼パワーデバイス・プロセス開発 ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア ・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築 ・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門との連携 資格 必須要件 ・半導体デバイス構造設計や付随するプロセス開発経験 （半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験） ・英語力：ビジネスレベル以上 ・日本語力：ビジネスレベル以上 歓迎要件 ・パワーデバイス（IGBT,パワーMOS(Si,SiC）,FRD)開発経験 ・TCADシミュレーションスキル ・TEGレイアウトスキル ・デバイス電気特性評価スキル ・海外との共同プロジェクト経験 ・パワーエレクトロニクス全般の基礎知識 その他の情報 ルネサスは「人々の暮らしを楽（ラク）にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。当社の製品は、世界中の主要な電子機器メーカーに採用され、日々の暮らしに欠かせない身の回りのあらゆる電子機器に使用されています。 当社では世界25カ国の製造・開発・販売拠点において20,000人以上の従業員が働いています。グローバルチームとして、すべての従業員が、行動指針である「Renesas Culture」をもとに、互いに学習、協力、成長、目標に向けて前進しながら、日々さまざまな課題解決に取り組んでいます。 当社を取り巻く環境は近年の活発な大型M&Aを含めて、他に類を見ないほどダイナミックに動いています。今後もインフラやデータエコノミー関連の急成長市場でのシェア拡大や、産業/IoTや自動車分野でのプレゼンス強化を図ります。変化の激しい中、グローバルチームの一員として、私たちと一緒に持続可能な将来を築いていただける方をお待ちしています。...
Job Description In our power semiconductor business, we are focusing on IGBTs and Power MOSFETs for the rapidly growing xEV market and are increasing our production capacity to meet the strong demand. In addition to these,
Job Description 当社パワー半導体事業では、急成長するxEV市場向けのIGBTとPower MOSFETに注力し、旺盛な需要に対応するために生産能力を増強しています。 これらに加えて、より高性能なSiC MOSFETを早期に市場に投入する予定です。 当社が保有する世界トップクラスのデバイス・プロセス技術エンジニアとともに、競合他社に勝る次世代SiCデバイス開発をリードできる人材を募集します。 SiCパワーデバイス・プロセス開発、プロジェクトマネジメント ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発プロジェクトマネジメント ・関連企業との協業および交渉 ・デバイス構造設計やプロセスフロー構築に関する指揮・指導 ・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など 多部門との連携、交渉 Qualifications Required ・パワーデバイス開発のプロジェクトマネジメント経験 ２年以上 ・150nm、200mmウエハプロセス開発経験 ３年以上 ・英語：プレゼンテーションが可能なレベル (TOEIC 700 程度) ・日本語：ビジネス会話ができる程度 Nice to have ・SiCデバイス構造設計やプロセス開発経験 ・海外との共同プロジェクト経験 ・パワーエレクトロニクス全般の基礎知識 ＜期待する行動、役割など（求める人物像＞ ・グローバルなプロジェクトマネジメント、チームマネジメント Additional Information ルネサスは「人々の暮らしを楽（ラク）にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。当社の製品は、世界中の主要な電子機器メーカーに採用され、日々の暮らしに欠かせない身の回りのあらゆる電子機器に使用されています。 当社では世界25カ国の製造・開発・販売拠点において20,000人以上の従業員が働いています。グローバルチームとして、すべての従業員が、行動指針である「Renesas Culture」をもとに、互いに学習、協力、成長、目標に向けて前進しながら、日々さまざまな課題解決に取り組んでいます。 当社を取り巻く環境は近年の活発な大型M&Aを含めて、他に類を見ないほどダイナミックに動いています。今後もインフラやデータエコノミー関連の急成長市場でのシェア拡大や、産業/IoTや自動車分野でのプレゼンス強化を図ります。変化の激しい中、グローバルチームの一員として、私たちと一緒に持続可能な将来を築いていただける方をお待ちしています。...
